ROHMセミコンダクターは、5月9日から11日までドイツのニュルンベルクで開催された電力電子、インテリジェントモーション、エネルギーマネジメントのトレードフェア「PCIM Europe」に出展し、高性能のパワーセミコンダクターを披露した。この展示会では、ROHMが持続可能な技術を前進させる新しい電力半導体ソリューションを披露した。「ROHMの力でパワーアップ」というスローガンで、同社は高品質の技術を通じて社会的および生態系の課題を解決することを実証している。
ROHMの主力製品であるセミコンダクターおよび電子部品の重要性は増しており、代替可能エネルギーといった将来の世代のための確実な解決策となる。PCIM Europeでは、省エネ、ミニチュア化、機能安全、イノベーション、および持続可能性を中心に、私たちが直面する主要な技術に関する先端ソリューションをROHMが提供している。
最新の第4世代SiC MOSFET: ROHMの切り込み技術により業界最低のオン抵抗を実現し、スイッチング損失を最小限に抑え、15Vおよび18Vのゲート-ソース電圧をサポートする。自動車インバーターおよび各種スイッチング電源など、さまざまなアプリケーションにおいて、劇的なミニチュア化と低消費電力を実現する。
新しい成型SiCパワーモジュール: ROHMは、異なるRDS_onで最新の第4世代SiC MOSFET 750Vおよび1200Vデバイスを搭載した「HSDIP20」および「DOT247」のパッケージポートフォリオを拡大する。2つのデバイスによって、条件によっては最大30kWの電力をアプリケーションに提供できる。
ゲートドライバ: BM611xシリーズは、xEV補助駆動用に特別に設計された3.75KVの絶縁、AEC-Q100認定されたゲートドライバデバイスである。製品ファミリーには新しいメンバーであるBM6112があり、20Aのユニークなゲート電流を備えた高出力IGBTおよびSiCアプリケーションに対応している。
インテリジェントローサイドパワーデバイス（IPD）: BV1LExxxEFJ-CおよびBM2LExxxFJ-Cシリーズは、自動車および産業用アプリケーション向けに理想的に設計された新世代AEC-Q100認定の1チャンネルおよび2チャンネル40Vスマートローサイドスイッチである。
730V統合フライバックコンバータ
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